HP a compris le fonctionnement des 'memristors'

Le constructeur assure avoir percé le secret du fonctionnement des minuscules circuits électriques que sont les «memristors». Une technologie qui devrait pouvoir remplacer les mémoires flash et les DRAM à l’horizon 2013.

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Comme son nom l’indique, le memristor est capable de mémoriser la quantité de courant qui le traverse. Le plus intéressant est qu’il peut ensuite maintenir son état électrique tout en étant privé de courant.

Dans un article paru dans le journal "Nanotechnology", les chercheurs de HP dissent avoir réussi à tracer les processus chimiques de base et la structure de ce qui se produit à l'intérieur d'un memristor pendant ses opérations électriques. Cette compréhension du phénomène devrait permettre à HP de commercialiser les premiers memristors vers 2013, même s’il ne s’agit que d’une estimation et non d’une annonce officielle.

La particularité du memristor est qu’il peut passer d’un niveau de résistance électrique à un autre pour représenter les informations binaires que sont le 0 et le 1. Mais aussi des niveaux intermédiaires.

Si les chercheurs avaient découvert depuis des années que cela fonctionnait, ils ne savaient pas encore pourquoi, ni comment. Notamment à cause de l’extrême petitesse des éléments. C’est à l’aide de rayons X qu’ils ont pu observer des canaux de 100 nanomètres de large. (1 nm est un milliardième de mètre).

Le memristors permettront de fabriquer des mémoires de type ReRAM, des mémoires non volatiles qui conservent les informations même en absence d’alimentation électrique. L’opposé des DRAM de nos PC qui sont remises à zéro lorsqu’un PC est éteint.

Les premiers prototypes de HP ont permis d’atteindre une densité de stockage de 12 Go par centimètre carré. Le niveau de miniaturisation atteint en production est de 15 nanomètres, avec une capacité multicouches qui permet de superposer 4 niveaux de mémoires les uns au-dessus des autres.

Le memristor pourrait aussi remplacer les mémoires flash dont la capacité de miniaturisation devrait avoir atteint sa limite dans 4 ans. Les délais d’obsolescence pour les mémoires DRAM devraient être légèrement plus longs.

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